Газофазное осаждение карбида кремния из метилсилана при относительно низких температурах и давлениях [Текст] : материал технической информации / А.В. Лахин, Е.А. Богачев, А.В. Манухин, А.Н. Тимофеев // Известия вузов. Цветная металлургия. - 2006. - №1. - С. 55-58. - Библиогр.: 9 назв. Рубрики: Осаждение кремния Кл.слова (ненормированные): графит -- подложка -- травление -- кристаллизация -- кубическая модификация Аннотация: Кинетика процесса осаждения карбида кремния показала, что полученные кристаллические слои SiC имеют преимущественно кубическую модификацию с небольшим содержанием гексагональной. Держатели документа: Усть-Каменогорск Доп.точки доступа: Лахин, А.В.; Богачев, Е.А.; Манухин, А.В.; Тимофеев, А.Н.