Л 38 Легированные полупроводниковые материалы [Текст] : сб.ст. / АН СССР, Ин-т металлургии им.А.А.Байкова ; Ред. В.С. Земсков. - М. : Наука, 1985. - 264 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.
Доп.точки доступа: Земсков, В.С. \ред.\ Экземпляры всего: 2 ХР (2) Свободны: ХР (2) |
А 85 Арсенид галлия. Получение, свойства и применение [Текст] / Ю.М.Бурдуков /и др./ ; под ред.Ф.П.Кесаманлы, Д.Н.Наследова. - М. : Наука, 1973. - 471 с. : черт. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 431-471 (268 назв.). - Б. ц.
Доп.точки доступа: Бурдуков, Ю.М.; Кесаманла, Ф.П. \ред.\ Экземпляры всего: 2 ХР (2) Свободны: ХР (2) |
Глазов, В. М. Физико-химические основы легирования полупроводников [Текст] : монография / В. М. Глазов, В. С. Земсков. - М. : Наука, 1967. - 371 с. : ил. - Библиогр.: с.353-364 (638 назв.) . - Б. ц.
Доп.точки доступа: Земсков, В.С. Экземпляры всего: 1 ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Легирование полупроводников [Текст] : сб.ст. / АН СССР, Ин-т металлургии им.А.А.Байкова ; ред. Н. Х. Абрикосов. - М. : Наука, 1982. - 293 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.
Доп.точки доступа: Абрикосов, Н.Х. \ред.\ Экземпляры всего: 2 ХР (2) Свободны: ХР (2) |
Легированные полупроводники [Текст] : сб.ст. / АН СССР. Ин-т металлургии им. А.А.Байкова ; ред. Н. Х. Абрикосов. - М. : Наука, 1975. - 139 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.
Доп.точки доступа: Абрикосов, Н.Х. \ред.\; АН СССР. Ин-т металлургии им. А.А.Байкова Экземпляры всего: 1 ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Материалы для оптоэлектроники [Текст] : сб.ст.: пер.с англ. - М. : Мир, 1976. - 405 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.
Экземпляры всего: 2 ХР (2) Свободны: ХР (2) |
Мильвидский, М. Г. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. (На примере арсенида галлия) [Текст] : монография / М. Г. Мильвидский, О. В. Пелевин, Б. А. Сахаров. - М. : Металлургия, 1974. - 391 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Б. ц.
Доп.точки доступа: Пелевин, О.В.; Сахаров, Б.А. Экземпляры всего: 1 ХР (1) Свободны: ХР (1) |