Л 17 Лазерные методы получения полупроводниковых структур и их исследование [Текст] : сб.ст. / АН МССР, Ин-т прикл.физики ; Ред. С.Л. Пышкин. - Кишинев : Штиинца, 1988. - 99 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - ISBN 5-376-00487-2 : Б. ц.
Плазма (физ.) лазерная--Исследование--Сборники Доп.точки доступа: Пышкин, С.Л. \ред.\ Экземпляры всего: 2 ХР (2) Свободны: ХР (2) |
Моносилан в технологии полупроводниковых материалов [Текст] : монография / Е.П. Белов [и др.]. - М. : НИИТЭХИМ, 1989. - 64 с. - (Элементоорганические соединения и их применение : обзор.информ. / НИИ техн.-экон.исслед.М-ва хим.пром-сти СССР.НИИ техн.-экон.исслед.). - Библиогр.: с. 61-65 (116 назв.). - Б. ц.
Доп.точки доступа: Белов, Е.П.; Лебедев, Е.Н.; Григораш и др, Ю.П. Экземпляры всего: 1 ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Вершин, В. Е. Быстродействующие полупроводниковые переключатели [Текст] : монография / В. Е. Вершин. - М.-Л. : Энергия, 1965. - 104 с. - (Библиотека по автоматике ; вып.136). - Библиогр.: с.99-101 (62 назв.) . - Б. ц.
Экземпляры всего: 2 ХР (2) Свободны: ХР (2) |
Лашкарев, В. Е. Неравновесные процессы в фотопроводниках [Текст] : монография / В. Е. Лашкарев, А. В. Любченко, М. К. Шейнкман. - Киев : Наук.думка, 1981. - 264 с. : ил. - Библиогр.: с.248-261 (298 назв.) . - Б. ц.
Доп.точки доступа: Любченко, А.В.; Шейнкман, М.К. Экземпляры всего: 1 ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Папков, В. С. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе [Текст] : монография / В. С. Папков, М. Б. Цыбульников ; ред. А. Ю. Малинин. - М. : Энергия, 1979. - 89 с. : ил. - Библиогр.: с.85-88 (69 назв.). - Б. ц.
Доп.точки доступа: Цыбульников, М.Б.; Малинин, А.Ю. \ред.\ Экземпляры всего: 2 ХР (2) Свободны: ХР (2) |
Фистуль, В. И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов [Текст] : монография / В. И. Фистуль. - М. : Металлургия, 1977. - 240 с. : ил. - Библиогр.: с.228-238 (313 назв.) . - Б. ц.
Экземпляры всего: 2 ХР (2) Свободны: ХР (2) |
Харченко, В. В. Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников [Текст] : монография / В. В. Харченко, М. Р. Грейсух ; АН УзССР. Центр. проект.-конструкт. и технол. бюро науч. приборостроения. - Ташкент : Фан, 1979. - 122 с. : ил. - Библиогр.: с.115-121 (221 назв.). - Б. ц.
Доп.точки доступа: Грейсух, М.Р.; АН УзССР. Центр. проект.-конструкт. и технол. бюро науч. приборостроения Экземпляры всего: 1 ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Ейльман, Л. С. Проводниковые материалы для кабелей и проводов [Текст] : монография / Л. С. Ейльман, В. И. Королев, В. М. Цесарский. - М.-Л. : Энергия, 1966. - 176 с. : ил. - Библиогр.: с.174-175 (48 назв.). - Б. ц.
Электротехнические металлы Доп.точки доступа: Королев, В.И.; Цесарский, В.М. Экземпляры всего: 1 ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Карцев, В. П. Сверхпроводники в физике и технике [Текст] : монография / В. П. Карцев. - М. : Знание, 1965. - 48 с. : ил. - (Физика. Математика. Астрономия. Серия 9 ; 8). - Б. ц.
Экземпляры всего: 1 ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Травление полупроводников [Текст] : пер.с англ. / сост. С. Н. Горин. - М. : Мир, 1965. - 382 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.
Доп.точки доступа: Горин, С.Н. \сост.\ Экземпляры всего: 2 ХР (2) Свободны: ХР (2) |
Новые полупроводниковые материалы. Физико-химические и технологические процессы получения полупроводниковых соединений группы А III BV [Текст] : сборник / ред. А. Я. Нашельский. - М. : Металлургиздат, 1964. - 272 с. : ил. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.
Доп.точки доступа: Нашельский, А.Я. \ред.\ Экземпляры всего: 1 ХР (1) Свободны: ХР (1) |
Правила безопасности при производстве полупроводниковых материалов (германия и кремния) [Текст] : утв.Госгортехнадзором СССР и М-вом цвет.металлургии СССР в 1982 г. - М. : Металлургия, 1984. - 35 с. - Б. ц.
Экземпляры всего: 2 ЦСПВ (2) Свободны: ЦСПВ (2) |